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उत्पत्ति के प्लेस: | चीन |
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ब्रांड नाम: | Huixin |
प्रमाणन: | ISO9001, ISO4001, IATF16949, UL |
मॉडल संख्या: | BC3400 |
न्यूनतम आदेश मात्रा: | 3000pcs |
मूल्य: | Negotiable |
पैकेजिंग विवरण: | 3000 पीसी / रील |
प्रसव के समय: | 2-4weeks |
भुगतान शर्तें: | टी / टी, पेपैल, नकद |
आपूर्ति की क्षमता: | 1 बिलियन टुकड़े / महीना |
प्रकार: | BC3400 एन चैनल MOSFET | नाली-स्रोत वोल्टेज: | 30V |
---|---|---|---|
निरंतर नाली वर्तमान: | 5.8A | MPQ: | 3000pcs |
आदर्श समय: | 5-7 दिन | नमूना: | नि: शुल्क |
समय - सीमा: | 2-4weeks | लीड मुक्त स्थिति: | ROHS |
हाई लाइट: | 5.8A कम वोल्टेज मोसफेट,350mW कम वोल्ट मोसफेट,BC3400 प्लास्टिक एनकॉस्लेट MOSFETS |
पैरामीटर | प्रतीक | मूल्य | इकाई | ||||||||||||||||||||||||||||
नाली-स्रोत वोल्टेज | वीडी एस | 30 | वी | ||||||||||||||||||||||||||||
गेट-सोर्स वोल्टेज | वीजी एस | ± 12 | वी | ||||||||||||||||||||||||||||
निरंतर नाली वर्तमान | मैंडी | 5.8 | ए | ||||||||||||||||||||||||||||
नाली वर्तमान-स्पंदित (नोट 1) | मैंडीएम | 30 | ए | ||||||||||||||||||||||||||||
शक्ति का अपव्यय | पीडी | 350 | मेगावाट | ||||||||||||||||||||||||||||
जंक्शन से एम्बिएंट तक थर्मल प्रतिरोध (नोट 2) | आरθJA | 357 | ℃ / डब्ल्यू | ||||||||||||||||||||||||||||
जंक्शन तापमान | टीजे | 150 | ℃ | ||||||||||||||||||||||||||||
भंडारण तापमान | टीएसटीजी | -55 ~ + 150 | ℃ |
पैरामीटर | प्रतीक | परीक्षण स्थिति | मिन | प्रकार | मैक्स | इकाइयों | ||||||||||||||||||||||||
विशेषता से | ||||||||||||||||||||||||||||||
नाली-स्रोत ब्रेकडाउन वोल्टेज | वी(बीआर) डीएसएस | वीजी एस = 0 वी, आईडी = 250μA | 30 | वी | ||||||||||||||||||||||||||
शून्य गेट वोल्टेज नाली वर्तमान | मैंडीएसएस | वीडी एस = 24V, वीजी एस = 0 वी | 1 | μA | ||||||||||||||||||||||||||
गेट-सोर्स लीकेज करंट | मैंजीएसएस | वीजी एस =, 12 वी, वीडी एस = 0 वी | ± 100 | ना | ||||||||||||||||||||||||||
विशेषताओं पर | ||||||||||||||||||||||||||||||
प्रतिरोध पर नाली-स्रोत (नोट 3) | आरडी एस (पर) | वीजी एस = 10 वी, आईडी = 5.8A | 35 | mΩ | ||||||||||||||||||||||||||
वीजी एस = 4.5 वी, आईडी = 5 ए | 40 | mΩ | ||||||||||||||||||||||||||||
फ़ॉरवर्ड ट्रांसकनेक्टेंस | जीएफएस | वीडी एस = 5 वी, आईडी = 5 ए | 8 | एस | ||||||||||||||||||||||||||
गेट दहलीज वोल्टेज | वीजी एस (th) | वीडी एस = वीजी एस, मैंडी = 250μA | 0.7 | 1.4 | वी | |||||||||||||||||||||||||
गतिशील विशेषताएँ (नोट 4,5) | ||||||||||||||||||||||||||||||
इनपुट समाई | सीiss | वीडी एस = 15V, वीजी एस = 0V, f = 1MHz | 1050 | pF | ||||||||||||||||||||||||||
आउटपुट कैपेसिटी | सीओएसएस | 99 | pF | |||||||||||||||||||||||||||
रिवर्स ट्रांसफर कैपेसिटेंस | सीआरएसएस | 77 | pF | |||||||||||||||||||||||||||
गेट प्रतिरोध | आरजी | वीडी एस = 0V, वीजी एस = 0V, f = 1MHz | 3.6 | Ω | ||||||||||||||||||||||||||
स्विचिंग के लक्षण (नोट 4,5) | ||||||||||||||||||||||||||||||
विलंब से चालू करें | टीडॉन) | वीजी एस= 10V, वीडी एस= 15 वी, आरएल= 2.7Ω, आरGEN= 3Ω | 5 | एनएस | ||||||||||||||||||||||||||
टर्न-ऑन वृद्धि समय | टीआर | 7 | एनएस | |||||||||||||||||||||||||||
टर्न-ऑफ देरी का समय | टीघ (बंद) | 40 | एनएस | |||||||||||||||||||||||||||
टर्न-ऑफ गिरने का समय | टीच | 6 | एनएस | |||||||||||||||||||||||||||
नाली-स्रोत डायोड विशेषताओं और अधिकतम रेटिंग | ||||||||||||||||||||||||||||||
डायोड आगे वोल्टेज (नोट 3) | वीएसडी | मैंएस= 1 ए, वीजी एस= 0V | 1 | वी |